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英特尔公布第二代Optane SCM:“披荆斩棘”,开疆辟土

公布时间:2019-09-27 15:37:40 來源:中國IDC圈 作者:The Register
[摘要]另外:144層NAND计划于2020年公布……另有消费级QLC闪存驱动器正伺机待发。 虽然相关细节信息不多,但英特尔公司已经正式公布其第二代Optan
另外:144層NAND計劃于2020年發布……另有消費級QLC閃存驅動器正伺機待發。

虽然相关细节信息不多,但英特尔公司已经正式公布其第二代Optane技术方案,代号名为Barlow Pass,意指地势险峻的巴洛山口。此外,芯片巨头还透露正在开发144层QLC(四级单元)NAND技术。

芯片巨頭同時在其位于新墨西哥州裏奧蘭珠市的工廠開設第二條Optane生産線,並在此前的第一條生産線上同步生産第二代晶圓。

在此次于首尔召开的英特尔内存与存储日公布会上,英特尔数据中心事业部产物治理高级总监Kristie Mann展示了下面这张演示图:

英特尔公布第二代Optane SCM:“披荆斩棘”,开疆辟土

Barlow Pass DIMM将于2020年正式公布,一同推出的还将包罗至强CPU的Cooper Lake(14纳米)与Ice Lake(10纳米)版本。此外,第二代Alder Stream Optane SSD也将在明年推出。

預計到2020年,單端口第二代Optane企業級驅動器將配備第二代利用器,從而進一步提升其性能水平。

通过展示图,可以看到Optane的第三代与第四代进展路线图也已经基本设定,其中包罗至强Sapphire Pass以及目前尚未定名的再下一代至强设计方案。

根据我们的估量,第一代DIMM的128GB、256GB以及512GB存储容量将在第二代版本中全面升级至256 GB、512GB以及1TB。

英特尔公司研究员Frank Hady也确认称,第二代Optane将拥有四层,这使得芯片尺寸增加了一倍。从理论上讲,这意味着英特尔也能够在各类Optane驱动器以及DIMM当中实现容量倍增的目标。

这一次英特尔仍然对技术细节有所保留,不外相信关于Barlow Pass的容量、使用寿命以及性能等指标将很快得到披露。

英特爾方面還体现,微軟公司正著手更新其客戶端操作系統以支持第二代Optane中的各項特性。

144層NAND

英特尔方面体现,96层QLC SSD将从下个季度开始向客户交付,而后他们将转而开发144层3D NAND产物,并从2020年开始正式向市场供货。这可能是将两个72层组件进行串叠,但仅仅只是推测,我们将在得到明确答案后及时向各人汇报。

英特尔公司非易失性内存解決方案部门总经理兼高级副总裁Rob Crooke体现,英特尔正在为个人电脑以及条记本电脑开发Optane持久性内存,从而彻底消除对外部存储方案的需求。通过切换至直接指向Optane内存——而非外部存储介质——的指针,新型应用程序的加载速度将得到显著提升,或者说有望瞬时完成。

英特爾公布665P:一款消費級QLC閃存驅動器

英特爾公司還在本次內存與存儲日活動中公布了665P,一款速度逾越原有660P産品的四級單元NAND閃存驅動器。

之前的660P为M.2式驱动器,接纳PCIe 3.0 x4接口与NVMe v1.3接口。其支持每天0.1次全盘写入(DWPDF)并提供五年质保周期。该驱动器接纳SLC写入缓存并内置256 MB DRAM。另外,它的随机读取/写入IOPS分别为22万/22万,连续读取与写入带宽则为1800 MB每秒。

以下是這款産品的實際外觀:

英特尔公布第二代Optane SCM:“披荆斩棘”,开疆辟土

再來看此次新發布的665P,二者看起來非常相似:

英特尔公布第二代Optane SCM:“披荆斩棘”,开疆辟土

英特尔方面也展示了660P与665P两款产物在CrystalDiskMark v7基准测试中的性能差异,测试皆接纳两款产物的1 TB版本。

測試結果彙總如下:

660P连续读取/写入速率——每秒1229/1333 MB

665P连续读取/写入速率——每秒1817/1888 MB

660P隨機讀取/寫入IOPS——13137/37105

665P隨機讀取/寫入IOPS——17279/47608

其中660P接纳64层NAND,而665P接纳96层结构。英特尔公司非易失性内存解決方案部门战略规划与市场营销负责人Dave Lundell指出,新一代接纳的存储介质更先进,ASIC与固件也得到了提升。

665P計劃于今年第四季度上市,目前具體價格尚未公布。

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